什么是雪崩击穿与齐纳击穿?你真的理解这两种击穿的区别吗?我们将使用形象的比喻与放大镜原理从载流子的角度详尽地剖析它们,我们也将一次使用到“偏
我们称这种由于碰撞而使载流子倍增所引起的击穿叫雪崩击穿。 雪崩击穿是由于势垒区的电场强度太强而引起的,如果在同样的外电压下,想办法使得势垒区的电场强度减小些
什么是MOS管的雪崩,雪崩耐量,是指施加电压时的抗击穿性,当功率MO技巧ET在反向偏置时,受漏极电压、电流等电气量变化的影响,内部的载流子会被引发雪崩式
齐纳击穿与雪崩击穿的原理 1) 雪崩击穿 随着反向电压的提高, 空间电荷区内电场增强,通过势垒区的载流子获得的能量 也随之增加。当反向电压接近击穿电
缓存雪崩 对于系统 A,假设每天高峰期每秒 5000 个请求,本来缓存在高峰期可以扛缓存击穿,就是说某个 key 非常热点,访问非常频繁,处于集中式高并发访
雪崩击穿.ppt,低频电子线路 主讲人 刘雪芳 陈梅 课程简介 专业基础课 40学时(低频)+20学时(高频) 由易到难:元器件、分立电路、集成电路、应用电路 先修课程:
佳答案: 材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向增加时,空间电荷中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大。在晶体中更多关于雪崩击穿的问题>>
