巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance,缩写:GMR)是一种量子力学和凝聚体物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层(几个纳米
fjifde巨磁电阻电流传感器,电流的传感是通过测量载流导体周围的磁场来实现的,磁场与通过导体的电流成直接正比关系,因此,电流传感器的输出电压与输入电流
本白皮书概述了巨磁电阻 (GMR) 效应的基本内容,以及 Allegro 如何在市场领先的 IC 中使用此技术来满足当今的应用需求。 巨磁电阻 (GMR) 效应 1988年,U
电子发烧友为您提供的巨磁电阻传感器的基本原理,而典型的巨磁电阻传感器由四个阻值相同的电阻构成惠斯通电桥结构,如图2所示。R1和R3由高导磁率的材料(
在巨磁阻的相关研究发表之前,科学家已知外加磁场会小幅影响材料的电阻率,也就是一般所谓的磁阻效应:「外来磁场所引起的电阻变化」。而「巨磁阻」顾名思义,即是
什么是巨磁电阻巨磁阻效应(Giant M 什么是巨磁电阻 巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance,缩写:GMR)是一种量子力学和凝聚体物理学现象,磁阻效应的一
如图所示,GMR是一个巨磁电阻,其特性是电阻在磁场中会急剧减小,且磁场越强电阻越小,闭合开关S2后,下列四种情况相比较,指示灯亮的是( )
