为了达到较大规模集成电路的工艺要求的高精度光刻胶抗蚀剂的图形转移,干法刻蚀得到快速发展。 干法刻蚀法包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、溅射刻蚀、
摘要: 本发明提供了一种光刻对准方法以及一种晶圆。所述方法包括如下步骤:提供一晶圆,所述一晶圆的表面包括至少一一对准标记,所述一对准标记
周期为2㈣n.玑由此可“看出血用此系统的激光r涉光刻力法.能够较方便地得到特征R寸loonm周期200度较好的l目形。2 nm H埘比 3离子束刻蚀 在光刻胶上得刊
在光刻热熔法的基础上 ,研究使用掺有重铬酸盐的明胶在光纤端部制备微型透镜的工艺 。 采用缩短显影时间法改善了光刻胶热熔法制作微透镜阵列的工艺,提高了折射型
